特許
J-GLOBAL ID：200903058214396193
発光ダイオード及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
沖川 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-164946
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339546
出願日： 2005年06月06日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】LED構造の表面を荒らして光取出し効率を高める方法と、低コストな電極パッドの悪影響を回避する方法((1)金属又は酸化物の透明導電膜による電流分散層を形成する、(2)フリップ・チップ構造を形成する)を、両立させる方法を提供すること。【解決手段】基板上に少なくともn型半導体層、30層以下の量子井戸層から成る活性層、p型半導体層を半導体積層構造として有する発光ダイオードにおいて、半導体積層構造の表面に平坦部分と複数の穴を形成する。このとき、複数の穴の面内占有率を10%以上85%以下とし、穴の開口部の直径を100nm以上4000nm以下とし、穴の深さを活性層と平坦部分との間の距離よりも浅くし、複数の穴の密度を8×105個/cm2以上1.08×1010個/cm2以下とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上に少なくともn型半導体層、30層以下の量子井戸層から成る活性層、p型半導体層を半導体積層構造として有する発光ダイオードにおいて、
前記半導体積層構造の表面が平坦部分と複数の穴から成り、
前記複数の穴の面内占有率が10%以上85%以下であり、
前記穴の開口部の直径が100nm以上4000nm以下であり、前記穴の深さが前記活性層と前記平坦部分との間の距離よりも浅く、
前記複数の穴の密度が8×105個/cm2以上1.08×1010個/cm2以下であることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L33/00 E
, H01L33/00 C
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA05
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA73
, 5F041CA74
, 5F041CA75
, 5F041CA83
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041CA93
, 5F041CA99
, 5F041CB36
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (3件)
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