特許
J-GLOBAL ID:200903011895829673

半導体発光素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-051627
公開番号(公開出願番号):特開2005-057239
出願日: 2004年02月26日
公開日(公表日): 2005年03月03日
要約:
【課題】光の指向性を制御でき、色ムラが生じない半導体発光素子を提供する。【解決手段】本発明は、保護膜を有する半導体発光素子において、保護膜が無機化合物を主鎖とし、有機化合物を官能基として備えた感光性材料からなる。また指向性の向上には、保護膜に低屈折率領域11および高屈折領域12からなる所望の屈折率分布が形成されている。また、保護膜の低屈折率領域がMSQ(Methyl Silsesquioxane)からなり、高屈折率領域がシラザン結合を有している。さらに、本発明は、上記保護膜に紫外線照射によって低屈折率領域および高屈折率領域からなる屈折率分布を形成する半導体発光素子の製造方法である。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体発光素子の光取りだし面上に保護膜を有する半導体発光素子において、 前記保護膜は無機化合物を主鎖とし、有機化合物を官能基として備えた感光性材料からなり、該保護膜は屈折率分布を有することを特徴とする半導体発光素子。
IPC (1件):
H01L33/00
FI (1件):
H01L33/00 N
Fターム (8件):
5F041AA06 ,  5F041AA11 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041DA42 ,  5F041DA45 ,  5F041DA57 ,  5F041EE25
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (8件)
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