特許

J-GLOBAL ID：200903058230125906

位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランク

発明者： 三ッ井 英明 ,  竹内 恵 ,  野澤 順
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-181452
公開番号（公開出願番号）：特開平11-237726
出願日： 1998年06月12日
公開日（公表日）： 1999年08月31日
要約：

【要約】【課題】 露光波長の短波長化(100nm〜250nm)に対応しうるハーフトーン型位相シフトマスク及び位相シフトマスクブランクスを提供する。特に、検査光波長に対して所望の透過率を有する実用に適したマスクを提供する。【解決手段】 ハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、例えば、半透明膜(ハーフトーン位相シフター膜)2が、珪素とニッケルと、窒素、酸素及び水素から選ばれる少なくとも一種とを含み、さらに、半透明膜中に含まれる珪素とニッケルを下記式で示される関係とする。【数1】

請求項（抜粋）：

位相シフトマスクを作製するための位相シフトマスクブランクであって、透明性基板を直接透過する光に対して半透明膜を透過する光に所定量の位相差を生じさせる機能と光の強度を減衰させる機能とを有する半透明膜を透明性基板上に形成したハーフトーン型位相シフトマスクブランクにおいて、前記半透明膜が、珪素とニッケルと、窒素、酸素及び水素から選ばれる少なくとも一種とを含み、さらに、半透明膜中に含まれる珪素とニッケルが下記式で示される関係にあることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。【数1】

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 515 F ,  H01L 21/30 528

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 露光用マスクとその製造方法及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-195520   出願人：株式会社東芝
• 露光用基板と露光用マスク及び露光用基板の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-273980   出願人：株式会社東芝
• 露光用マスクの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-165094   出願人：株式会社東芝
• 露光用マスクとパターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-108700   出願人：株式会社東芝