特許
J-GLOBAL ID：200903058234352753

半導体レーザ

発明者：
石川 務

石川 務 について

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小林 宏彦

小林 宏彦 について

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小路 元

小路 元 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 眞鍋 潔 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-295801
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111126
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：
【要約】【課題】 半導体レーザに関し、利得結合係数を大きくするとともに、中心軸の軸ずれによる散乱損失を低減する。【解決手段】 平坦な第1の多重量子井戸層2と、周期的に分割した第2の多重量子井戸層3とを積層方向に近接して配置するとともに、周期的に分割した第2の多重量子井戸層3の間を第2の多重量子井戸層3を構成する材料よりも禁制帯幅の大きな材料で埋め込んだ半導体レーザの第2の多重量子井戸層3の第1の多重量子井戸層2に近接する側と反対側に、前記埋込層5より屈折率の大きな光導波層6を設ける。
請求項（抜粋）：
平坦な第1の多重量子井戸層と、前記第1の多重量子井戸層の延在する領域の少なくとも一部の領域において、光の伝搬方向に、伝搬光の媒質内波長の半波長の整数倍の周期で分割された第2の多重量子井戸層とを積層方向に近接して配置するとともに、前記第2の多重量子井戸層の間を該第2の多重量子井戸層を構成する材料よりも禁制帯幅の大きな材料からなる埋込層で埋め込んだ半導体レーザにおいて、前記第2の多重量子井戸層の前記第1の多重量子井戸層と近接する側と反対側に、前記埋込層より屈折率の大きな光導波層を近接して設けたことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (3件)：
H01S 5/12 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01S 5/12 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343
Fターム (9件)：
5F073AA22 ,  5F073AA45 ,  5F073AA64 ,  5F073AA74 ,  5F073CA12 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (5件)
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