特許
J-GLOBAL ID：200903058261908496

集積回路製造用露光装置

発明者：
藤ノ木 朗

藤ノ木 朗 について

, 
西村 裕幸

西村 裕幸 について


出願人/特許権者：
信越石英株式会社

信越石英株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-090235
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270352
出願日： 1997年03月25日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【課題】 水素を含有する石英ガラスからなる光学系を用いてArFエキシマレーザ露光装置を構成する場合においても、耐久性や品質を劣化させる事なく、光学系全体として低コストで製造容易に構成することのできる工学系の提供。【解決手段】 本発明は耐レーザ性を向上するために、前記光学系を、合成石英ガラス製光学体と蛍石の組み合わせで構成し、光エネルギー密度が大なる位置にある光学体については単結晶蛍石で構成し、光学体を透過する光エネルギー密度が小なる位置にある光学体については常圧下でドープされる程度の水素分子濃度を有する合成石英ガラスで形成し、これにより光学系全体としての高透過率を達成させた事を特徴とする。
請求項（抜粋）：
狭帯化した短波長紫外レーザ光で集積回路のパターンを照明し、投影光学系若しくは反射光学系により集積回路のパターンをウエーハ上に焼き付けて集積回路を製造する為の露光装置において、前記光学系を、合成石英ガラス製光学体と蛍石製光学体の組み合わせで構成し、ウエーハ露光面又は/及び瞳面に最も近接して配設され該光学体を透過する光エネルギー密度ε(mJ/cm2 )が相対的に大なる位置にある少なくとも1の光学体を単結晶蛍石で、ウエーハ露光面又は/及び瞳面に遠ざかる位置に配設され該光学体を透過する光エネルギー密度ε(mJ/cm2 )が相対的に小なる位置にある少なくとも1の光学体を、1×1017分子/cm3 以上5×1018分子/cm3 以下の水素分子濃度を有する合成石英ガラスで夫々形成するとともに、一方前記短波長紫外レーザ光を発振波長幅を1.5pm(FWHM:半値全幅)以下にしたArFエキシマレーザで構成した事を特徴とする集積回路製造用露光装置。
IPC (4件)：
H01L 21/027 ,  C03C 3/06 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521
FI (5件)：
H01L 21/30 515 D ,  C03C 3/06 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 528
引用特許：
審査官引用 (3件)

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