特許
J-GLOBAL ID：200903058271230803
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-025312
公開番号（公開出願番号）：特開平9-219459
出願日： 1996年02月13日
公開日（公表日）： 1997年08月19日
要約：
【要約】【課題】2層ゲート構造のゲート電極間の層間絶縁膜にバーズビークが発生することを抑制し、微細化を可能とし、層間絶縁膜の絶縁性を向上する。【解決手段】半導体基板1上の絶縁膜3上に形成された第1のゲート電極4と、この第1のゲート電極4上の層間絶縁膜10と、この層間絶縁膜10上に形成された第2のゲート電極5とを具備し、層間絶縁膜10が酸化膜層と窒化膜層とが交互に積層された複数の絶縁膜層12〜16により構成され、この絶縁膜層のうち第1のゲート電極4および第2のゲート電極5に接触する絶縁膜層12および16がそれぞれ窒化膜層により構成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上の絶縁膜上に形成された第1のゲート電極と、この第1のゲート電極上の層間絶縁膜と、この層間絶縁膜上に形成された第2のゲート電極とを具備する不揮発性半導体記憶装置において、前記層間絶縁膜が酸化膜層と窒化膜層とが交互に積層された複数の絶縁膜層により構成され、この絶縁膜層のうち前記第1および第2のゲート電極に接触する絶縁膜層がそれぞれ窒化膜層により構成されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
