特許
J-GLOBAL ID：200903058367554375

液晶表示装置の製造方法

発明者：
小間 徳夫

小間 徳夫 について

, 
米田 清

米田 清 について

, 
小村 哲司

小村 哲司 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-317170
公開番号（公開出願番号）：特開平11-149093
出願日： 1997年11月18日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 広視野角の液晶表示装置を製造する。【課題】 基板10上にゲート電極11、これを覆うゲート絶縁膜12、この上にp-Si膜13、これを覆う層間絶縁膜15、この上にドレイン電極16及びソース電極17が順次形成されて薄膜トランジスタが形成され、薄膜トランジスタを覆う平坦化絶縁膜18、この上に画素電極19、これを覆う垂直配向膜31が形成される。垂直配向膜31にはラビング処理が施されず、負の誘電率異方性を有する液晶は、プレチルトを有することなく基板の法線方向に初期配向制御される。電圧印加により、画素電極19端において斜め電界により傾斜方向が制御され、画素分割が行われる。ラビング処理が削減されているので薄膜トランジスタの静電破壊が防がれる。
請求項（抜粋）：
対向配置された第1の基板と第2の基板の間に液晶が封入され、前記第1の基板または/および前記第2の基板の外側面には、偏光板が設けられてなり、前記偏光板を抜けた偏光を前記液晶にて変調することにより表示を行う液晶表示装置の製造方法において、前記第1の基板となる支持基板の対向面上に複数の薄膜トランジスタ及びその電極配線を形成する工程と、前記薄膜トランジスタ及びその電極配線を覆って表面が平坦化された絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜に開口部を形成して、対応する薄膜トランジスタの一部を露出する工程と、前記絶縁膜上に、前記開口部を介して前記薄膜トランジスタに電気的に接続する液晶駆動用の画素電極を形成する工程と、前記画素電極を覆って、液晶の初期配向を制御する垂直配向膜となる材料膜を成膜する工程と、加熱により前記材料膜を乾燥することにより、液晶の初期配向を基板の法線方向、あるいは、法線方向から1°の範囲内に制御すべく垂直配向膜を形成する工程と、前記第2の基板となる支持基板の対向面上に、液晶駆動用の共通電極、及び、前記共通電極中の前記画素電極に対向する領域内に所定の形状を有する電極不在部である配向制御窓を形成する工程と、前記共通電極を覆って、液晶の初期配向を制御する垂直配向膜となる材料膜を成膜する工程と、加熱により前記材料膜を乾燥することにより、液晶の初期配向を基板の法線方向、あるいは、法線方向から1°の範囲内に制御すべく垂直配向膜を形成する工程と、前記第1の基板と前記第2の基板とを所定の間隙をもって貼り合わせる工程と、前記第1の基板と前記第2の基板の間隙に誘電率異方性が負の液晶を注入し、これを封止する工程と、前記第1の基板または/および前記第2の基板の外側面に偏光板を貼り付ける工程と、からなることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
IPC (4件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1337 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (5件)：
G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1337 ,  H01L 29/78 612 Z ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 K
引用特許：
審査官引用 (11件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM