特許
J-GLOBAL ID：200903058403980637
半導体装置の製造方法及び半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-009947
公開番号（公開出願番号）：特開2004-221487
出願日： 2003年01月17日
公開日（公表日）： 2004年08月05日
要約：
【課題】層内レンズ及びその上下の絶縁膜等にクラックや剥がれを生じさせることなく、さらに新たな設備を導入することなくシンプルな製造方法により、均一性の良い、高品質の層内レンズを形成することができる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくとも光電変換部42、転送電極47及び遮光膜49が形成された半導体基板41上であって光電変換部42の上方に、転送電極47及び遮光膜49に起因する凹部を有する透明膜50を形成し、透明膜50上に、透明膜50よりも屈折率が高く、感光性を有する材料膜を形成し、この材料膜の所定箇所に選択的に光線を照射し、材料膜を現像することにより、光電変換部42の上方に、少なくとも下面に凸部を有する層内レンズ51を形成する半導体装置の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
少なくとも光電変換部が形成された半導体基板上であって前記光電変換部の上方に、凹部を有する透明膜を形成し、
該透明膜上に、該透明膜よりも屈折率が高く、感光性を有する材料膜を形成し、該材料膜の所定箇所に選択的に光線を照射し、前記材料膜を現像することにより、光電変換部の上方に、少なくとも下面に凸部を有する層内レンズを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/14 D
, H04N5/335 U
4M118AB01
, 4M118BA10
, 4M118CA02
, 4M118CA32
, 4M118FA06
, 4M118FA35
, 4M118GB03
, 4M118GB08
, 4M118GC07
, 4M118GD04
, 4M118GD07
, 4M118GD08
, 5C024AX01
, 5C024CY47
, 5C024CY48
, 5C024GX03
, 5C024GX07
, 5C024GY01
, 5C024GY31
, 5C024HX01
