特許
J-GLOBAL ID：200903058426266346
半導体力学量センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
佐藤 強
, 小川 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-077746
公開番号（公開出願番号）：特開2004-286535
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】実装のために要するコストの低減を実現すること、2軸方向の力学量を検出可能な構成とする場合でも全体の小型化を実現すること、良好な出力特性を得ること。【解決手段】不純物拡散ポリシリコン製の梁構造体4は、支持基板2に形成された開口部3に臨むように支持され、その支持基板2の主表面と直交するz軸方向への加速度の作用に応じて変位する。梁構造体4には、その変位方向と平行する面が電極面とされた可動電極6dが一体に形成される。支持基板2には、梁構造体4の変位に応じて可動電極6dとの対向面積が変化するように配置された不純物拡散ポリシリコン製の第1の固定電極7aが支持される。この第1の固定電極7aの上方には、梁構造体4の変位に応じて可動電極6dとの対向面積が変化するように配置された不純物拡散ポリシリコン製の第2の固定電極9aが第1の固定電極7aと補助絶縁分離膜8を介した状態で支持される。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
主表面に開口部が形成された支持基板と、
この支持基板上に前記開口部に臨んだ状態で支持され、当該支持基板の主表面と直交する方向への力学量の作用に応じて当該力学量の作用方向へ変位する半導体材料製の梁構造体と、
この梁構造体と一体に設けられ、当該梁構造体の変位方向と平行する面が電極面とされた半導体材料製の可動電極と、
前記支持基板上に支持され、前記梁構造体の変位に応じて前記可動電極との対向面積が変化するように配置された半導体材料製の第1の固定電極と、
この第1の固定電極の上方に当該第1の固定電極と電気的に絶縁された状態で支持され、前記梁構造体の変位に応じて前記可動電極との対向面積が変化するように配置された半導体材料製の第2の固定電極と、
を備え、
前記梁構造体に作用する力学量の大きさ及びその作用方向を、当該梁構造体の変位に伴う可動電極及び第1の固定電極間の対向面積変化に応じた静電容量の変化量と、梁構造体の変位に伴う可動電極及び第2の固定電極間の対向面積変化に応じた静電容量の変化量との差に基づいて検出することを特徴する半導体力学量センサ。
IPC (3件)：
G01P15/125
, B81B3/00
, H01L29/84
G01P15/125 Z
, B81B3/00
, H01L29/84 Z
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA31
, 4M112CA32
, 4M112DA04
, 4M112DA06
, 4M112DA10
, 4M112DA11
, 4M112DA12
, 4M112EA02
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112FA01
, 4M112FA07
, 4M112FA20
