特許
J-GLOBAL ID:200903058458334203

低硫黄留出物の製造

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河備 健二
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-578580
公開番号(公開出願番号):特表2003-531274
出願日: 2001年04月17日
公開日(公表日): 2003年10月21日
要約:
【要約】留出ストリームを水素処理して、格段に硫黄が少なく、全芳香族化合物および多環式芳香族化合物が中程度に減少されたストリームを製造する方法が開示される。留出ストリームは第1の水素化脱硫段で水素化脱硫される。生成した生成物ストリームは第1の分離域に送られ、そこで気相生成物ストリームおよび液相生成物ストリームが製造される。液相生成物ストリームは第2の水素化脱硫段に送られ、その生成物ストリームは第2の分離域に送られ、そこで気相生成物ストリームおよび硫黄が少ない液体生成物ストリームが製造される。前記第2の分離域からの気相生成物ストリームの少なくとも一部を、第1の水素化脱硫段にカスケードすることが可能である。
請求項(抜粋):
多段階からなる、硫黄含有率が3,000wppmより高い留出原料油中の硫黄レベルを減少させる方法であって、 (a)第1の水素化脱硫段において、硫黄含有率が3,000wppmより高い留出原料油ストリームを、水素含有処理ガスの存在下で反応させて、硫黄含有率が1,000wppm未満の液体生成物ストリームを生じさせる工程であって、前記第1の水素化脱硫段は一つ以上の反応域を含み、前記反応域は各々、水素化脱硫触媒の存在下、水素化脱硫条件で運転され、前記水素含有処理ガスの一部は下記工程(d)の第2の水素化脱硫段からカスケードされる工程; (b)前記液体生成物ストリームを第1の分離域に送り、そこで水素含有生成物ガスストリームと液相生成物ストリームを生成させる工程; (c)前記液相生成物ストリームを第2の水素化脱硫段に送る工程; (d)前記第2の水素化脱硫段において、前記液相生成物ストリームを、水素含有処理ガスの存在下で反応させて、硫黄含有率が100wppm未満の液体生成物ストリームを生じさせる工程であって、前記第2の水素化脱硫段は一つ以上の反応域を含み、前記反応域は各々、水素化脱硫触媒床を含む水素化脱硫条件で運転される工程;および (e)前記工程(d)の液体生成物ストリームを第2の分離域に送り、そこで水素含有生成物ガスストリームと液相生成物ストリームを生成させる工程を含むことを特徴とする硫黄レベルを減少させる方法。
IPC (3件):
C10G 65/04 ,  C10G 45/08 ,  C10G 45/10
FI (3件):
C10G 65/04 ,  C10G 45/08 Z ,  C10G 45/10 Z
Fターム (3件):
4H029CA00 ,  4H029DA00 ,  4H029DA09
引用特許:
審査官引用 (10件)
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