特許

J-GLOBAL ID：200903058464651040

フォトリトグラフィー処理用マスクブランクの製造方法及びマスクブランク

発明者： ルッツ アシュケ ,  フランク ゾーベル ,  ギュンター ヘス ,  ハンス ベッカー ,  マルクス レンノ ,  フランク シュミット ,  オリバー ゲッツベルガー
出願人/特許権者： ショット アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (2件)： 浜本 忠 ,  佐藤 嘉明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-224943
公開番号（公開出願番号）：特開2006-049910
出願日： 2005年08月03日
公開日（公表日）： 2006年02月16日
要約：

【課題】製造中及びその後の使用において摩損も粒子生成もなく確実に接地可能な、EUVリトグラフィー用マスクブランクを提供する。【解決手段】前面4及び背面3を有する基板2を供する工程と、基板背面上へ導電性層5を蒸着する工程と、基板前面上へ少なくとも第一層6及び第二層9から成るコーティングを蒸着する工程と、前面4上の少なくとも1つの所定の位置に取扱い部分が形成され、取り扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いてマスクブランク1を取り扱えるように設計され、第一層6は、マスクブランク1がその前面から取り扱われる時に、機械的クランプ手段あるいは取扱い装置によって第一層6が圧迫されるように、取扱い部分のそれぞれにおいて露出される構成とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

前面(4)及び背面(3)を有する基板(2)を供する工程と、 前記基板背面上へ導電性層(5)を蒸着する工程と、 前記基板前面上へ少なくとも第一層(6)及び第二層(9)から成るコーティングを蒸着する工程と、 前記コーティング(6,9)をフォトリトグラフィー処理のため構造化する工程から構成される、フォトリトグラフィー処理、特にEUVリトグラフィー処理において用いるマスクブランク(1)の製造方法であって、 前記前面(4)上の少なくとも1つの所定の位置に取扱い部分(22;22a-22c)が形成され、前記取扱い部分にはフォトリトグラフィー処理のための構造化が為されておらず、また前記取り扱い部分は機械的クランプ手段あるいは取扱い装置を用いてマスクブランク(1)を取り扱えるように設計され、及び 前記第一層(6)は、前記マスクブランク(1)がその前面から取り扱われる時に、前記機械的クランプ手段あるいは取扱い装置が前記第一層(6)に当接されるように前記取扱い部分(22;22a-22c)のそれぞれにおいて露出されることを特徴とする前記製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/14 ,  G03F 1/16

FI (3件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/14 G ,  G03F1/16 A

Fターム (9件)：

2H095BA10 ,  2H095BC11 ,  2H095BC16 ,  5F046GA12 ,  5F046GD01 ,  5F046GD03 ,  5F046GD05 ,  5F046GD10 ,  5F046GD12

引用特許：

審査官引用 (8件)

• 特開平4-040456
  
• 特開昭63-070524
  
• マスクブランク導通機構
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-119150   出願人：東芝機械株式会社
• 特開平1-142636
  
• 特開平2-001851
  
• 接地方法およびフォトマスクブランクス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-330838   出願人：大日本印刷株式会社
• 反射マスク基板のコーティング
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-501941   出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
• 多層膜付き基板、露光用反射型マスクブランク、露光用反射型マスクおよびその製造方法、並びに半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-351650   出願人：ホーヤ株式会社