特許
J-GLOBAL ID:200903058476193943
バルク超電導体の酸素アニール方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
杉村 暁秀 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-240181
公開番号(公開出願番号):特開平10-087328
出願日: 1996年09月11日
公開日(公表日): 1998年04月07日
要約:
【要約】【課題】 バルク酸化物に対して、十分な酸素を迅速かつ均一に導入する。【解決手段】 溶融成長させた REBa2Cu3Oy 系バルク酸化物に酸素導入処理を施して、超電導体とするに際し、上記酸素導入処理に先立ち、上記バルク酸化物の内部に細孔を開けることによりその比表面積を増大させる。
請求項(抜粋):
溶融成長させた REBa2Cu3Oy 系バルク酸化物に酸素導入処理を施して、超電導体とするに際し、上記酸素導入処理に先立ち、上記バルク酸化物の内部に細孔を開けることによりその比表面積を増大させることを特徴とする、バルク超電導体の酸素アニール方法。
IPC (4件):
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, C04B 35/45 ZAA
, H01B 13/00 565
FI (4件):
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, H01B 13/00 565 D
, C04B 35/00 ZAA K
引用特許: