特許
J-GLOBAL ID：200903058520241829

半導体装置用多層基板及びその製造方法

発明者：
六川 昭雄

六川 昭雄 について

, 
佐々木 正行

佐々木 正行 について

, 
松田 勇一

松田 勇一 について


出願人/特許権者：
新光電気工業株式会社

新光電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-370984
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323613
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子が搭載される搭載面を可及的に平坦に形成でき、且つ厚さを可及的に薄く形成し得る半導体装置用多層基板を提供する。【解決手段】 導体配線12が絶縁層14を介して多層に形成されて成る多層基板の一面側が、搭載される半導体素子16の電極端子18と接続される半導体素子用パッド20aが形成された半導体素子搭載面であり、且つ前記多層基板の他面側が、外部接続端子用パッド24が形成された外部接続端子装着面である半導体装置用多層基板10において、該絶縁層14の両面に形成された導体配線12及び/又はパッド20を電気的に接続するヴィア28が、絶縁層14を貫通して形成され、且つ絶縁層14の外部接続端子装着面側に開口されていると共に、前記半導体素子搭載面側に形成された導体配線12又はパッド20の外部接続端子装着面側の内面に底面が形成された、開口面積が底面面積よりも大の円錐台状の凹部30に形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
導体配線が絶縁層を介して多層に形成されて成る多層基板の一面側が、搭載される半導体素子の電極端子と接続される半導体素子用パッドが形成された半導体素子搭載面であり、且つ前記多層基板の他面側が、外部接続端子用パッドが形成された外部接続端子装着面である半導体装置用多層基板において、該絶縁層の両面に形成された導体配線及び/又はパッドを電気的に接続するヴィアが、前記絶縁層を貫通して形成され、且つ前記絶縁層の外部接続端子装着面側に開口されていると共に、前記絶縁層の半導体素子搭載面側に形成された導体配線又はパッドの外部接端子装着面側の内面に底面が形成された、開口面積が底面面積よりも大となる円錐台状の凹部に形成されていることを特徴とする半導体装置用多層基板。
IPC (2件)：
H01L 23/12 ,  H05K 3/46
FI (4件)：
H01L 23/12 N ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 Q
Fターム (25件)：
5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA43 ,  5E346BB01 ,  5E346BB16 ,  5E346CC08 ,  5E346CC38 ,  5E346CC40 ,  5E346CC52 ,  5E346CC58 ,  5E346CC60 ,  5E346DD25 ,  5E346DD33 ,  5E346DD44 ,  5E346DD46 ,  5E346DD47 ,  5E346EE33 ,  5E346FF14 ,  5E346FF45 ,  5E346GG01 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346HH11 ,  5E346HH24 ,  5E346HH32
引用特許：
出願人引用 (4件)
全件表示
審査官引用 (3件)

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