特許
J-GLOBAL ID：200903088241285456
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-346545
公開番号（公開出願番号）：特開平11-176870
出願日： 1997年12月16日
公開日（公表日）： 1999年07月02日
要約：
【要約】【課題】 温度変化に伴って導体パターンに加えられる応力を充分に吸収でき且つ製造装置等の制約を受け難い半導体装置を提供することにある。【解決手段】 半導体素子10の電極端子12が形成された一面側に設けられている第1絶縁層14と第2絶縁層18との間に挟まれて導体パターン16が形成され、導体パターン16の一端部が第1絶縁層14を貫通するヴィア20を介して電極端子12と電気的に接続されていると共に、導体パターン16の他端部が第2絶縁層18を貫通して設けられた外部接続端子22と電気的に接続されて成る半導体装置であって、該第1絶縁層14と第2絶縁層18との各々が、第1絶縁層14及び第2絶縁層18の温度変化に因る層方向への伸縮に応じて導体パターン16が層方向に伸縮可能となるように、室温下でのヤング率が108 Pa以下となる弾性体により形成され、且つ前記導体パターン16の各々が、ヴィア20と外部接続端子22との間の直線距離よりも長くなるように、第1絶縁層14上に曲折されて形成されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
半導体素子の電極端子が形成された一面側に設けられている第1絶縁層と第2絶縁層との間に挟まれて導体パターンが形成され、前記導体パターンの一端部が第1絶縁層を貫通するヴィアを介して前記電極端子と電気的に接続されていると共に、前記導体パターンの他端部が第2絶縁層を貫通して設けられた外部接続端子と電気的に接続されて成る半導体装置であって、該第1絶縁層と第2絶縁層との各々が、前記第1絶縁層及び第2絶縁層の温度変化に因る層方向への伸縮に応じて前記導体パターンが層方向に伸縮可能となるように、室温下でのヤング率が108 Pa以下となる弾性体により形成され、且つ前記導体パターンの各々が、前記ヴィアと外部接続端子との間の直線距離よりも長くなるように、前記第1絶縁層上に曲折されて形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 311
, H01L 21/60
, H01L 23/12
H01L 21/60 311 Q
, H01L 21/60 311 W
, H01L 23/12 L
