特許
J-GLOBAL ID：200903058527448917
半導体部材及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (4件)：
大塚 康徳
, 高柳 司郎
, 大塚 康弘
, 木村 秀二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-002971
公開番号（公開出願番号）：特開2007-184503
出願日： 2006年01月10日
公開日（公表日）： 2007年07月19日
要約：
【課題】凹凸を有する基板の凸部からの結晶の成長と凹部からの結晶の成長とが交差することを防止して、表面の転位密度が低い半導体部材を得る。【解決手段】この製造方法は、凹部30r及び凸部30pを有する基板30を準備する準備工程と、凸部30pから少なくとも横方向に第1半導体31を成長させる第1成長工程と、第1半導体31の上に第2半導体32を成長させて第2半導体32からなるファセットを形成する第2成長工程と、ファセットから少なくとも横方向に第3半導体33を成長させる第3成長工程とを含む。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体部材の製造方法であって、
凹部及び凸部を有する基板を準備する準備工程と、
前記凸部から少なくとも横方向に第1半導体を成長させる第1成長工程と、
前記第1半導体の上に第2半導体を成長させて前記第2半導体からなるファセットを形成する第2成長工程と、
前記ファセットから少なくとも横方向に第3半導体を成長させる第3成長工程と、
を含むことを特徴とする半導体部材の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 5/343
H01L21/205
, H01L33/00 C
, H01S5/343 610
5F041CA05
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F045AA02
, 5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045BB12
, 5F045CA11
, 5F045DA53
, 5F045DB09
, 5F173AA08
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AK08
, 5F173AP05
, 5F173AP19
