特許
J-GLOBAL ID：200903028184267834
半導体素子、エピタキシャル基板、半導体素子の製造方法、及びエピタキシャル基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-314768
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124124
出願日： 2001年10月12日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】転位密度を低減させて結晶品質に優れた半導体素子、及びこれに使用するエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】単結晶材料からなる基材11上に、Al含有III族窒化物からなる下地層12を形成する。次いで、下地層12上にマスク14をパターン状に形成し、マスク14を介してファセット15を有し、III族窒化物からなる初期エピタキシャル成長層16を形成する。その後、初期エピタキシャル成長層16を埋設し、平坦化するようにして再度前記III族窒化物をエピタキシャル成長させ、ファセット15を有する中間層13を形成する。
請求項（抜粋）：
単結晶材料からなる基材と、この基材に隣接して形成されたAl含有の第1のIII族窒化物からなる下地層と、この下地層に隣接して形成された第2のIII族窒化物からなる中間層と、この中間層に隣接して形成された第3のIII族窒化物からなる半導体素子層とを具え、前記中間層は、前記下地層から一定の角度で傾斜して立ち上がったファセットを有することを特徴とする、半導体素子。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/205
, C30B 29/38 C
4G077AA03
, 4G077BE13
, 4G077DB08
, 4G077ED06
, 4G077EE06
, 4G077EE07
, 4G077EF03
, 4G077TB05
, 4G077TC14
, 4G077TC16
, 4G077TC19
, 5F045AA04
, 5F045AB09
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AE23
, 5F045AE25
, 5F045AF09
, 5F045AF13
, 5F045BB12
, 5F045CA09
, 5F045DA53
, 5F045DA67
, 5F045DB02
, 5F045DB04
