特許
J-GLOBAL ID：200903016844459342
3-5族化合物半導体とその製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-082240
公開番号（公開出願番号）：特開2002-170778
出願日： 2001年03月22日
公開日（公表日）： 2002年06月14日
要約：
【要約】【課題】マスクパターンを用いる再成長法であって、再成長層の膜厚を大きくすることなく低転位密度の3-5族化合物半導体を製造する方法と該低転位密度の3-5族化合物半導体を提供する。【解決手段】一般式InuGavAlwN(式中、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1、u+v+w=1)で表される第1の3-5族化合物半導体からなる層の上に、前記の第1の3-5族化合物半導体とも異なり、後記の第2の3-5族化合物半導体とも異なる材料からなるパターンを有し、該第1の3-5族化合物半導体と該パターンの上に、一般式InxGayAlzN(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される第2の3-5族化合物半導体からなる層を有する3-5族化合物半導体において、該パターン上に空隙を有し、該パターンの開口部より成長した第2の化合物半導体層中の貫通転位が該パターンの空隙により終端されてなることを特徴とする3-5族化合物半導体。
請求項（抜粋）：
一般式InuGavAlwN(式中、0≦u≦1、0≦v≦1、0≦w≦1、u+v+w=1)で表される第1の3-5族化合物半導体からなる層の上に、前記の第1の3-5族化合物半導体とも異なり、後記の第2の3-5族化合物半導体とも異なる材料からなるパターンを有し、該第1の3-5族化合物半導体と該パターンの上に、一般式InxGayAlzN(式中、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で表される第2の3-5族化合物半導体からなる層を有する3-5族化合物半導体において、該パターン上に空隙を有し、該パターンの開口部より成長した第2の化合物半導体層中の貫通転位が該パターンの空隙により終端されてなることを特徴とする3-5族化合物半導体。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (25件)：
4K030AA11
, 4K030BA02
, 4K030BA08
, 4K030BA11
, 4K030BA38
, 4K030BB01
, 4K030BB12
, 4K030LA14
, 5F045AA03
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB09
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AC07
, 5F045AC12
, 5F045AD14
, 5F045AE25
, 5F045AF09
, 5F045BB12
, 5F045CA12
, 5F045DA53
, 5F045DB02
, 5F045DB04
