特許

J-GLOBAL ID：200903058557101660

窒化ガリウム部材の気相エッチング方法

発明者： 纐纈 明伯 ,  熊谷 義直
出願人/特許権者： 学校法人 学習院 ,  日本学術振興会
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-058471
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261075
出願日： 2001年03月02日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】 窒化ガリウム単結晶基板の表面エッチング方法として好適に用いることのできる、窒化ガリウム部材の気相エッチング方法を提供する。【解決手段】 窒化ガリウム部材を、アンモニアガスを添加した不活性ガスと水素ガスとの混合ガスからなるキャリアガス中で所定の温度にまで昇温する。その後、アンモニアガスの供給を呈しするとともに、前記キャリアガス中に塩化水素ガスを導入して、前記窒化ガリウム部材の表面をエッチング処理する。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム部材を所定の温度に加熱し、この窒化ガリウム部材の表面に、塩化水素ガスを不活性ガスと水素ガスとの混合ガスからなるキャリアガスとともに供給し、前記塩化水素ガスと前記キャリアガスとからなるエッチング雰囲気中において、前記窒化ガリウム部材の前記表面をエッチング処理することを特徴とする、窒化ガリウム部材の気相エッチング方法。

Fターム (10件)：

5F004AA14 ,  5F004AA16 ,  5F004BA19 ,  5F004BB26 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB19 ,  5F004EA34

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化物系化合物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-170541   出願人：ソニー株式会社
• III族-N系結晶の気相エッチング方法および再成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-212374   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 化合物半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-052656   出願人：住友電気工業株式会社