特許

J-GLOBAL ID：200903058569018688

薄膜ガスセンサおよびその製造方法

発明者： 国原 健二 ,  鈴木 卓弥 ,  岡村 誠 ,  小林 光男
出願人/特許権者： 富士電機機器制御株式会社
代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-239902
公開番号（公開出願番号）：特開2007-057254
出願日： 2005年08月22日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：

【目的】長期のパルス駆動においてもPt感知膜電極とSnO2ガス感知膜の間に問題の発生しない薄膜ガスセンサおよびその製造方法を提供する。【構成】Si基板Bの貫通孔の一端を覆って張られその周縁がSi基板に固定された、酸化ケイ素または/および窒化ケイ素などからなる支持膜L1〜L3(ダイヤフラム構造という)上に、少なくとも、薄膜ヒータHが形成され、これを被覆する絶縁膜L4上に一対のPt感知膜電極Eを有するSnO2ガス感知膜Sが形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記Pt感知膜電極と前記SnO2ガス感知膜の間に、Sn-Ptからなる合金中間層Iを設ける。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

Si基板の貫通孔の一端を覆って張られその周縁がSi基板に固定された、酸化ケイ素または/および窒化ケイ素などからなる支持膜(ダイヤフラム構造という)上に、少なくとも、薄膜ヒータが形成され、これを被覆する絶縁膜上に一対のPt感知膜電極を有するSnO2ガス感知膜が形成されてなる薄膜ガスセンサにおいて、前記Pt感知膜電極と前記SnO2ガス感知膜の間に、Sn-Pt合金からなる中間層を有することを特徴とする薄膜ガスセンサ。

IPC (1件)：

G01N 27/12

FI (3件)：

G01N27/12 B ,  G01N27/12 C ,  G01N27/12 M

Fターム (24件)：

2G046AA11 ,  2G046AA19 ,  2G046AA21 ,  2G046AA24 ,  2G046BA01 ,  2G046BA06 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BC05 ,  2G046BE03 ,  2G046DB04 ,  2G046DB05 ,  2G046DC09 ,  2G046DC13 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046FB02 ,  2G046FE03 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G046FE39 ,  2G046FE41

引用特許：

出願人引用 (5件)

• 薄膜ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-221612   出願人：富士電機株式会社
• 薄膜ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096951   出願人：富士電機株式会社
• 薄膜ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-085481   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭53-114094
  
• 薄膜ガスセンサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-331868   出願人：富士電機機器制御株式会社

審査官引用 (6件)

• 薄膜ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-085481   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭53-114094
  
• 薄膜ガスセンサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-331868   出願人：富士電機機器制御株式会社
• 薄膜ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-221612   出願人：富士電機株式会社
• 薄膜ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-096951   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭53-114094