特許
J-GLOBAL ID：200903058652688741

ドライエッチング方法、ドライエッチングガス及びパーフルオロ-2-ペンチンの製造方法

発明者：
山田 俊郎

山田 俊郎 について

, 
杉本 達也

杉本 達也 について


出願人/特許権者：
日本ゼオン株式会社

日本ゼオン株式会社 について


代理人 (1件)： 内山 充
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-208604
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055680
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】195nm以下の光源を使用するドライエッチング耐性の悪いレジストに対しても、高いエッチング速度及び選択性を確保し、線幅200nm以下のパターンを形成することができるドライエッチング方法、ドライエッチングガス及びパーフルオロ-2-ペンチンの製造方法を提供する。【解決手段】レジスト膜に、波長195nm以下の放射線を照射して形成した線幅200nm以下のレジストパターンを、不飽和結合を有する炭素数4〜6のフッ素系化合物でドライエッチングする方法、前記フッ素系化合物からなり、線幅200nm以下のパターンを形成するレジスト膜に用いるドライエッチングガス、及び、1,1,1-トリハロ-2,2,2-トリフルオロエタンとペンタフルオロプロピオンアルデヒドを反応させて2-ハロ-1,1,1,4,4,5,5,5-オクタフルオロ-2-ペンテンとし、脱ハロゲン化水素反応するパーフルオロ-2-ペンチンの製造方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
基板上に塗布されたレジスト膜に、波長が195nm以下の放射線を照射して形成した最小線幅200nm以下のレジストパターンを、少なくとも1つの不飽和結合を有する炭素数4〜6のフッ素系化合物でドライエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L21/3065 ,  C07C17/25 ,  C07C21/22
FI (3件)：
H01L21/302 105A ,  C07C17/25 ,  C07C21/22
Fターム (12件)：
4H006AA02 ,  4H006AA03 ,  4H006AB80 ,  4H006AC13 ,  4H006AC24 ,  4H006BD70 ,  5F004AA02 ,  5F004BA20 ,  5F004CA02 ,  5F004CA09 ,  5F004DA00 ,  5F004DB03
引用特許：
審査官引用 (5件)
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