半導体集積回路装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-321053
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150347
出願日： 1998年11月11日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】光縮小投影露光における転写パターンの投影歪みを低減して、半導体ウエハで生ずる転写パターンの寸法ずれを緩和することのできる転写技術を提供する。【解決手段】縮小投影露光装置の光学系の転写領域に対応したフォトマスク面を5mmから20mm程度の等間隔にメッシュ分割し、各メッシュ内の一点を代表点として、x、y補正量を設定し、メッシュ間の補正量で直線近似または曲線近似をして、パターン描画装置のステージ座標の補正を行うことにより、フォトマスクの位置座標に対応してフォトマスクに形成する集積回路パターンの寸法を歪ませる。

請求項（抜粋）：

フォトマスクに形成された集積回路パターンを縮小投影露光装置を用いて半導体ウエハに転写する工程を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記フォトマスクに形成する集積回路パターンの寸法を、前記フォトマスクの形成平面位置座標に応じて異ならせることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , G03F 1/08 , G03F 7/20 521 , H01L 21/3205

FI (6件)：

H01L 21/30 516 A , G03F 1/08 A , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 502 V , H01L 21/30 514 E , H01L 21/88 A

Fターム (35件)：

2H095BA02 , 2H095BB01 , 2H095BB02 , 5F033HH08 , 5F033HH09 , 5F033JJ01 , 5F033JJ08 , 5F033JJ19 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK09 , 5F033PP15 , 5F033QQ01 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR09 , 5F033SS11 , 5F046AA18 , 5F046AA25 , 5F046BA04 , 5F046BA08 , 5F046CB05 , 5F046CB17 , 5F046CB23 , 5F046DA02 , 5F046DA13 , 5F046DD06 , 5F046EA02 , 5F046EA03 , 5F046EA09 , 5F046EA10 , 5F046EB02 , 5F046EC05

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭58-222524
光近接効果補正マスクの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-214646 出願人：日本電気株式会社
特開昭63-095623

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