特許

J-GLOBAL ID：200903058654908277

ITO電極及びその作製方法、並びに窒化物半導体発光素子

発明者： 只友 一行 ,  星野 勝之 ,  吉村 和正
出願人/特許権者： 国立大学法人山口大学 ,  山口県
代理人 (2件)： 内野 春喜 ,  内野 雅子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-221784
公開番号（公開出願番号）：特開2009-054889
出願日： 2007年08月28日
公開日（公表日）： 2009年03月12日
要約：

【課題】 本発明の課題は、ITO膜とGaNを主原料とする半導体電極層のオーミック接触抵抗を良好に保持するとともにシート抵抗が低く、透明性及び結晶品質で優れたスパッタ法によるITOの成膜を可能にするITO電極及びその作製方法、並びにITO電極を有する窒化物半導体発光素子を提供することである。【解決手段】 GaNを主原料とする半導体層上に積層され、真空蒸着法及びスパッタ法により形成された複層のITO膜を含むITO電極及びその作製方法、並びにITO電極を有する窒化物半導体発光素子である。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

GaNを主原料とする半導体層上に積層され、真空蒸着法及びスパッタ法により形成された複層のITO膜を含むITO電極。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (2件)：

H01L33/00 E ,  H01L33/00 C

Fターム (5件)：

5F041AA24 ,  5F041CA40 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 積層型透明導電膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-348410   出願人：日本真空技術株式会社

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-195506   出願人：星和電機株式会社
• 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-014390   出願人：星和電機株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-159459   出願人：ローム株式会社
• 窒化物系半導体発光素子及び窒化物系半導体発光素子の製造方法、ランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-360088   出願人：昭和電工株式会社