半導体装置およびその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-289489
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110826
出願日： 1999年10月12日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の耐熱性を向上させ、はんだ付け工程にも充分な耐熱性を保有した半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体素子が、ガラス転移温度が120°C以上で、全光線透過率が厚さ3mmで90%以上である熱可塑性樹脂で封止され、さらにその封止樹脂表面が紫外線硬化性樹脂で被膜されてなることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

半導体素子が、ガラス転移温度が120°C以上で、全光線透過率が厚さ3mmで90%以上である熱可塑性樹脂で封止され、さらにその封止樹脂表面が紫外線硬化性樹脂で被膜されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (11件)：

H01L 21/56 , B29C 45/14 , B29C 69/02 , C08J 7/04 CES , H01L 23/28 , H01L 23/29 , H01L 23/31 , H01L 31/02 , H01L 33/00 , B29L 31:34 , C08L101:00

FI (10件)：

H01L 21/56 J , B29C 45/14 , B29C 69/02 , C08J 7/04 CES L , H01L 23/28 D , H01L 33/00 N , B29L 31:34 , C08L101:00 , H01L 23/30 B , H01L 31/02 B

Fターム (38件)：

4F006AA12 , 4F006AA36 , 4F006AB24 , 4F006BA02 , 4F006BA04 , 4F006CA08 , 4F006DA04 , 4F206AA44 , 4F206AH37 , 4F206AR12 , 4F206JA07 , 4F206JB12 , 4F206JB17 , 4F206JF06 , 4F206JW31 , 4F206JW34 , 4F213AA44 , 4F213AH37 , 4F213WA05 , 4F213WA54 , 4F213WA57 , 4F213WA86 , 4F213WA87 , 4M109AA02 , 4M109EA12 , 4M109EA15 , 4M109EC05 , 4M109GA01 , 5F041AA44 , 5F041DA46 , 5F041DA58 , 5F061AA02 , 5F061BA01 , 5F061CA21 , 5F061CB02 , 5F061FA01 , 5F088BA11 , 5F088JA06

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体発光素子用窓材
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-165212 出願人：日本合成ゴム株式会社
基板に実装された電子部品のモールド方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-162262 出願人：三菱電線工業株式会社
ICモジュールの樹脂封止方法、ICモジュール及びICカード
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-219439 出願人：大日本印刷株式会社

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