特許

J-GLOBAL ID：200903058681048913

基板処理装置および基板処理方法

発明者： 中嶋 誠世 ,  西脇 倫子 ,  油谷 幸則 ,  岡田 格 ,  西谷 英輔 ,  中込 和広 ,  池田 和人 ,  示野 和弘 ,  太田 岳児 ,  笠次 克尚
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084590
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274094
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 ウエハを機械的に授受しつつサセプタを回転可とする。【解決手段】 処理室11内でウエハ1を保持するサセプタ40と、サセプタ40を回転させる回転ドラム35と、回転ドラム35内で回転しない支持軸26に支持されサセプタ40の下からウエハ1を加熱する加熱ユニット27とを備えており、回転ドラム35と加熱ユニット27とが処理室11を昇降するように構成されており、処理室11内にはウエハ1をサセプタ40に対して昇降させるウエハ昇降装置50が設けられている。【効果】 ウエハがサセプタから浮かされるので、機械式ウエハ移載装置のツィーザ2を挿入できる。

請求項（抜粋）：

被処理基板が載置されるサセプタと、前記サセプタの下方に配置されて前記サセプタに載置された前記被処理基板を加熱する加熱ユニットとを処理室内に備えており、前記サセプタと前記加熱ユニットとが相対的に回転された状態で前記被処理基板に処理が施される基板処理装置であって、少なくとも前記サセプタが前記処理室内にて昇降するように構成されており、前記処理室には前記被処理基板を少なくとも前記サセプタの一部に対して昇降させる被処理基板昇降装置が設置されていることを特徴とする基板処理装置。

IPC (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/68

FI (5件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 F ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/302 B

Fターム (39件)：

4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030GA06 ,  4K030GA12 ,  4K030JA03 ,  4K030KA23 ,  5F004BB26 ,  5F004BC06 ,  5F004CA05 ,  5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031FA12 ,  5F031GA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA32 ,  5F031HA33 ,  5F031HA37 ,  5F031HA59 ,  5F031JA01 ,  5F031JA15 ,  5F031JA17 ,  5F031JA21 ,  5F031JA46 ,  5F031LA18 ,  5F031MA28 ,  5F031NA05 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045DP03 ,  5F045EB02 ,  5F045EK23 ,  5F045EM06 ,  5F045EM10 ,  5F045EN04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体気相成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-088559   出願人：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
• 薄膜成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-120604   出願人：信越半導体株式会社
• 基板の枚葉式熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-200336   出願人：大日本スクリーン製造株式会社