特許

J-GLOBAL ID：200903058712761800

半導体絶縁膜用CMP研磨剤、その製造方法及び基板の研磨方法

発明者： 小山 直之 ,  深沢 正人 ,  飛田 文子 ,  島村 泰夫 ,  大槻 裕人
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (7件)： 三好 秀和 ,  岩▲崎▼ 幸邦 ,  栗原 彰 ,  川又 澄雄 ,  伊藤 正和 ,  高橋 俊一 ,  高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-170096
公開番号（公開出願番号）：特開2005-353681
出願日： 2004年06月08日
公開日（公表日）： 2005年12月22日
要約：

【課題】層間絶縁膜、BPSG膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜を平坦化するCMP 技術において、酸化珪素膜の研磨を研磨傷なく、高速かつ平坦に行うことができるCMP研磨剤、その製造方法および基板の研磨方法を提供する。【解決手段】4価の金属水酸化物粒子によって表面が被覆された有機高分子粒子及び水を含むCMP研磨剤であって、さらに水溶性高分子を含んでも良く、好ましくは、前記金属水酸化物は、比表面積100m2/g以上で、2次粒子径の中央値が300nm以下である希土類金属水酸化物または水酸化ジルコニウムであり、前記前記有機高分子粒子は平均粒子径が、前記金属水酸化物粒子の2次粒子径の中央値より大かつ50μm以下で、ゼータ電位が0mV以下、ガラス転移温度が30°C以上である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

4価の金属水酸化物粒子によって表面の少なくとも一部が被覆された有機高分子粒子及び水を含むCMP研磨剤。

IPC (3件)：

H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14

FI (7件)：

H01L21/304 622D ,  H01L21/304 621D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z

Fターム (6件)：

3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-014370   出願人：日立化成工業株式会社
• 研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-157385   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 研磨剤及び基板の研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-044254   出願人：日立化成工業株式会社
• 研磨材用複合粒子およびスラリー状研磨材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-281633   出願人：東レ株式会社
• 研磨砥粒
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-038464   出願人：ユニチカ株式会社
• 化学機械研磨用水系分散体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-331504   出願人：ジェイエスアール株式会社