特許
J-GLOBAL ID：200903058745064020

結晶引き上げ装置および結晶引き上げ方法

発明者：
木村 雅規

木村 雅規 について

, 
村岡 正三

村岡 正三 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230077
公開番号（公開出願番号）：特開2000-053486
出願日： 1998年07月31日
公開日（公表日）： 2000年02月22日
要約：
【要約】【課題】 少ないヒータパワーにより大チャージ量の原料を短時間に溶融し、且つ結晶成長を制御できる結晶引き上げ装置と結晶引き上げ方法を提供する。【解決手段】 少なくとも原料を充填する坩堝と該坩堝を囲繞するヒータを備え、チョクラルスキー法により結晶を製造する結晶引き上げ装置において、前記ヒータからの輻射熱を受けて前記坩堝の下方まで熱伝導により熱を伝え坩堝に向かって輻射熱を放出する熱伝導輻射部材が配置されている結晶引き上げ装置。およびこの装置を用いて結晶を引き上げる方法。
請求項（抜粋）：
少なくとも原料を充填する坩堝と該坩堝を囲繞するヒータを備え、チョクラルスキー法により結晶を製造する結晶引き上げ装置において、前記ヒータからの輻射熱を受けて前記坩堝の下方まで熱伝導により熱を伝え坩堝に向かって輻射熱を放出する熱伝導輻射部材が配置されていることを特徴とする結晶引き上げ装置。
IPC (2件)：
C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502
FI (2件)：
C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 C
Fターム (5件)：
4G050FA16 ,  4G077AA02 ,  4G077BA04 ,  4G077CF00 ,  4G077EG19
引用特許：
審査官引用 (3件)

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