特許
J-GLOBAL ID：200903058759202345
凹凸電極の製造方法及び光起電力素子の製造方法並びに光起電力素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-060908
公開番号（公開出願番号）：特開平11-261092
出願日： 1998年03月12日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、光閉じ込め効果に最適な凹凸を有する凹凸電極及びそれを備えた光起電力素子を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上に透明電極2、非晶質半導体層3、4、5及び金属電極8を順次形成してなる光起電力素子の製造方法であって、前記非晶質半導体層5にエネルギービームを照射し、非晶質半導体層5の一部に結晶核領域を形成した結晶粒径制御層6を形成した後、この結晶粒径制御層6上に凹凸形状を有する透明電極7を形成し、この透明電極7上に凹凸形状を有する金属電極8を形成する。
請求項（抜粋）：
表面に凹凸形状を有する凹凸電極を形成する凹凸電極の製造方法であって、非晶質半導体層にエネルギービームを照射し、前記非晶質半導体層の一部に結晶核領域を形成した後、前記非晶質半導体層上に結晶性電極を形成することで表面に凹凸形状を有する凹凸電極を形成することを特徴とする凹凸電極の製造方法。
FI (2件)：
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 M
