特許
J-GLOBAL ID：200903058767709041

CMP用研磨液及び研磨方法

発明者：
篠田 隆

篠田 隆 について

, 
桜田 剛史

桜田 剛史 について

, 
木村 忠広

木村 忠広 について


出願人/特許権者：
日立化成工業株式会社

日立化成工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-338774
公開番号（公開出願番号）：特開2006-147993
出願日： 2004年11月24日
公開日（公表日）： 2006年06月08日
要約：
【課題】 微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイス等の製造におけるCMP用研磨液及び研磨方法を提供する。【解決手段】 表面を2種以上の異なる有機官能基で変性した砥粒を含有することを特徴とするCMP用研磨液、及び表面が凹部および凸部からなる層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を表面に沿って被覆するバリア導体層と、前記凹部を充填してバリア導体層を被覆する導電性物質層とを有する基板の、導電性物質層を研磨して前記凸部のバリア導体層を露出させる第1の研磨工程と、少なくともバリア導体層および凹部の導電性物質層を請求項1〜7のいずれか記載のCMP用研磨液を供給しながら化学機械研磨して凸部の層間絶縁膜を露出させる第2の研磨工程とを含むことを特徴とする研磨方法。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
表面を2種以上の異なる有機官能基で変性した砥粒を含有することを特徴とするCMP用研磨液。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (4件)：
H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D
Fターム (7件)：
3C058AA07 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB05 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 米国特許第4944836号公報
  • 特開平2-278822号公報
  • 研磨剤および研磨方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-055290   出願人：株式会社東芝
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審査官引用 (3件)

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