特許
J-GLOBAL ID：200903093897015696
半導体素子とその製造方法およびコンタクトホールの作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199493
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051094
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ゲート電極とコンタクトホール内に埋め込まれる導電体との間で必要な耐圧が得られる、半導体素子とその製造方法、およびコンタクトホールの作製方法が望まれている。【解決手段】 半導体基板20上に、ゲート導電体22a、23aとこれの上に形成された第一の絶縁膜24aとを有するゲート26が設けられ、ゲート26の両側にサイドウォールスペーサ28が設けられてなる半導体素子である。ゲート26が、第一の絶縁膜24aとエッチングレートの異なる絶縁材からなる第二の絶縁膜25aを第一の絶縁膜24a上に備えている。ゲート26およびサイドウォールスペーサ28を覆って半導体基板20上に、第二の絶縁膜25aとエッチングレートの異なる絶縁材からなる絶縁層30を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、ゲート導電体とこれの上に形成された第一の絶縁膜とを有するゲートが設けられ、該ゲートの両側にサイドウォールスペーサが設けられてなる半導体素子において、前記ゲートが、前記第一の絶縁膜とエッチングレートの異なる絶縁材からなる第二の絶縁膜を前記第一の絶縁膜上に備えて形成され、該ゲートおよび前記サイドウォールスペーサを覆って前記半導体基板上に、前記第二の絶縁膜とエッチングレートの異なる絶縁材からなる絶縁層が設けられたことを特徴とする半導体素子。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/28 301
, H01L 21/316
, H01L 21/318
H01L 29/78 301 P
, H01L 21/28 301 T
, H01L 21/316 X
, H01L 21/318 B
