特許
J-GLOBAL ID：200903058814454120

半導体ウェハ研磨用組成物

発明者：
寺本 匡志

寺本 匡志 について

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玉川 智史

玉川 智史 について

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吉田 光一

吉田 光一 について

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西田 芳和

西田 芳和 について


出願人/特許権者：
ロデール・ニッタ株式会社

ロデール・ニッタ株式会社 について


代理人 (3件)： 西教 圭一郎 ,  杉山 毅至 ,  廣瀬 峰太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-129291
公開番号（公開出願番号）：特開2004-335722
出願日： 2003年05月07日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】ウェハの研磨速度および研磨後のウェハの平坦化度を損なうことなく、グレージングを防止し、パッドの耐用性を向上させることができ、研磨粒子の凝集、沈降および溶解、研磨促進剤の析出などが起こらない。【解決手段】シリカ系研磨粒子と高濃度のピペラジンなどの研磨促進剤を含む半導体研磨用組成物にさらにアルコール類、好ましくは炭素数1〜6の低級アルコール類を加えることによって、研磨促進剤の溶解安定性および研磨粒子の分散安定性が増し、温度および圧力が変化しても研磨促進剤の析出、研磨粒子の凝集、沈降および溶解などがないので、常に優れたグレージング防止効果を有する半導体研磨用組成物が得られる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
研磨粒子、研磨促進剤、pH調整剤およびアルコール類を含み、残部が水であることを特徴とする半導体ウェハ研磨用組成物。
IPC (3件)：
H01L21/304 ,  B24B37/00 ,  C09K3/14
FI (4件)：
H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550D ,  C09K3/14 550Z
Fターム (7件)：
3C058AA07 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058CB04 ,  3C058DA02 ,  3C058DA13 ,  3C058DA17
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (6件)
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