半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-149389
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340452
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】高精細化できなかったり、高速化できないという問題があった。【解決手段】半導体層上に形成された二つの島状半導体層間にゲート電極を設けると共に、前記島状半導体層上にソース電極とドレイン電極を設けた半導体装置において、前記二つの島状半導体層の対向する側壁部に絶縁膜を設け、この絶縁膜上から前記半導体層上にかけて、前記ゲート電極を形成した。

請求項（抜粋）：

半導体層上に形成された二つの島状半導体層間にゲート電極を設けると共に、前記島状半導体層上にソース電極とドレイン電極を設けた半導体装置において、前記二つの島状半導体層の対向する側壁部に絶縁膜を設け、この絶縁膜上から前記半導体層上にかけて、前記ゲート電極を形成したことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (4件)

電界効果トランジスタ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-152653 出願人：三菱電機株式会社
化合物半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-233362 出願人：日本電気株式会社
特開平2-238636

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