特許

J-GLOBAL ID：200903058925111035

低抵抗n型半導体ダイヤモンドおよびその製造方法

発明者： 難波 暁彦 ,  今井 貴浩 ,  竹内 久雄
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (4件)： 中野 稔 ,  服部 保次 ,  山口 幹雄 ,  二島 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-379229
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214264
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：

【課題】リチウムをドープしたダイヤモンドに関し、リチウムと窒素をドープした低抵抗n型半導体ダイヤモンド及びその製造方法を提供する。【解決手段】リチウム原子と窒素原子とが共に1017cm-3以上含まれており、リチウム原子が炭素原子の格子間位置に、窒素原子が炭素原子の置換位置に、それぞれドープされ、リチウム原子と窒素原子は互いに隣接している構造を持つ低抵抗n型半導体ダイヤモンド。該低抵抗n型半導体ダイヤモンドを得るためには、ダイヤモンドの気相合成法において、真空紫外光を用いた光励起方法で原料を光分解し、リチウム原料はエキシマレーザーを照射してリチウム原子を飛散させて供給することにより得ることができる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

リチウム原子と窒素原子とが共に1017cm-3以上含まれていることを特徴とする低抵抗n型半導体ダイヤモンド。

IPC (3件)：

H01L21/22 ,  C23C16/27 ,  C30B29/04

FI (3件)：

H01L21/22 E ,  C23C16/27 ,  C30B29/04 K

Fターム (20件)：

4G077AA03 ,  4G077AB04 ,  4G077AB06 ,  4G077BA03 ,  4G077DB25 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EB01 ,  4G077HA12 ,  4G077TB08 ,  4G077TC02 ,  4G077TC06 ,  4G077TC08 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030FA02 ,  4K030JA09 ,  4K030JA10 ,  4K030LA11

引用特許：

審査官引用 (5件)

• ダイアモンド半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-268391   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-205398
  
• 特開平4-175295
  
• n型単結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、人工ダイヤモンドの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-050106   出願人：旭化成工業株式会社
• N型ダイアモンド半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-225719   出願人：新日本無線株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• The search for donors in diamond