特許
J-GLOBAL ID：200903058957847483

磁気トンネル接合装置およびその装置に対する書込み/読出し方法

発明者：
ベルナール、ディーニ

ベルナール、ディーニ について

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リカルド、スーサ

リカルド、スーサ について

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ダナ、スタネスク

ダナ、スタネスク について


出願人/特許権者：
コミサリア、ア、レネルジ、アトミク

コミサリア、ア、レネルジ、アトミク について


代理人 (6件)： 吉武 賢次 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  吉元 弘 ,  川崎 康 ,  赤岡 明
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-530418
公開番号（公開出願番号）：特表2007-509489
出願日： 2004年10月06日
公開日（公表日）： 2007年04月12日
要約：
本発明の装置は、第1の電極(12)と、磁性基準層(1)と、トンネルバリア(3)と、磁性記憶層(4)と、第2の電極(13)とを連続的に備えている。記憶層(4)と第2の電極(13)との間には少なくとも1つの第1の断熱層が配置され、この第1の断熱層は、その熱伝導率が5W/m/°C未満である材料から形成されている。第1の電極(12)と基準層(1)との間に配置された層によって第2の断熱層を構成することができる。書込み段階は、記憶層(4)のトンネル接合部を通じて基準層(1)へと向かう電流(l1)の循環を含んでおり、一方、読出し段階は逆方向の電流循環を含んでいる。
請求項（抜粋）：
-第1の電極(12)と、 -基準層を形成し且つ所定の磁化(2)を有する第1の磁性層(1)と、トンネルバリア(3)を形成する電気絶縁層と、記憶層を形成し且つ可逆的に方向を変更できる磁化(5)を有する第2の磁性層(4)と、を連続的に備える磁気トンネル接合部と、 -中間層(14)と、 -第2の電極(13)と、 を連続的に備え、 前記中間層(14)は、5W/m/°Cよりも低い熱伝導率を有する材料によって形成される第1の断熱層を構成することを特徴とする磁気装置。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  G11C 11/15
FI (5件)：
H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447 ,  G11C11/15 150 ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 110
Fターム (23件)：
4M119AA01 ,  4M119AA06 ,  4M119BB01 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  5F092AA04 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB37 ,  5F092BB43 ,  5F092BB55 ,  5F092BB90 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC50 ,  5F092BE01 ,  5F092BE27 ,  5F092BE30
引用特許：
審査官引用 (4件)
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