特許

J-GLOBAL ID：200903058992843423

磁気抵抗記憶素子及びその製造方法

発明者： 金 亨俊
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-313271
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111961
出願日： 2003年09月04日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】磁気抵抗記憶素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】磁気抵抗記憶セルの側壁に磁気集束スペーサを形成する。これによって、ビットライン及びデジットラインにより発生した磁場が前記磁気集束スペーサに集束し、前記磁気抵抗記憶セルに効率的に伝達する。また前記磁気抵抗記憶セルを囲む層間絶縁膜を高透磁率の磁性膜で形成して磁場の伝達をさらに効果的にすることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁膜を挟んで半導体基板上に配置された導電膜パターンと、 前記導電膜パターン上に配置された磁気抵抗記憶セルと、 前記絶縁膜上に配置されて前記磁気抵抗記憶セルを囲む層間絶縁膜とを含み、 前記層間絶縁膜は高透磁率の磁性膜であることを特徴とする磁気抵抗記憶素子。

IPC (4件)：

H01L27/105 ,  H01F10/20 ,  H01F41/14 ,  H01L43/08

FI (4件)：

H01L27/10 447 ,  H01F10/20 ,  H01F41/14 ,  H01L43/08 Z

Fターム (14件)：

5E049AB03 ,  5E049AC05 ,  5E049CB02 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA05 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083MA04 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083PR10 ,  5F083PR29 ,  5F083PR39

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 磁気メモリ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-255308   出願人：三洋電機株式会社
• 不揮発性磁気抵抗メモリのための浮遊磁気遮へい
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-058843   出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
• 磁気応答が制御可能な磁気トンネル接合
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-058777   出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション