特許
J-GLOBAL ID:200903059033375832
交流用スイッチ素子及び交流スイッチ回路
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-076062
公開番号(公開出願番号):特開2000-269353
出願日: 1999年03月19日
公開日(公表日): 2000年09月29日
要約:
【要約】【課題】素子数を削減した低価格の交流用スイッチ素子のゲート駆動を良好に行うことができる交流スイッチ回路を提供する。【解決手段】MOS形トランジスタからなる双方向に導通可能な交流用スイッチ素子S1、S2と、前記MOS形トランジスタのゲートの駆動電圧を制御するドライブ回路DR1〜DR3と、このドライブ回路へ前記駆動電圧を供給するコンデンサC1〜C3と、交流用スイッチ素子S1、S2が接続された交流電源ACの変化する最低電位を検出するためのスイッチ素子SWE、SWF及びダイオードDI4、DI5と、前記最低電位を受け取りこの最低電位を基準にしてコンデンサC1〜C3を昇圧するブートストラップ回路とから構成されている。
請求項(抜粋):
第1導電形の半導体基板上に形成された前記第1導電形と反対の第2導電形の第1半導体領域と、前記第1半導体領域内に分離されて形成された前記第1導電形の第2、第3半導体領域と、前記第2半導体領域内に分離されて形成された前記第2導電形の第4、第5半導体領域と、前記第3半導体領域内に分離されて形成された前記第2導電形の第6、第7半導体領域と、前記第4、第5半導体領域と前記第6、第7半導体領域との間の前記第2半導体領域上部に形成された第1チャネル領域と、前記第4、第5半導体領域と前記第6、第7半導体領域との間の前記第3半導体領域上部に形成された第2チャネル領域と、前記第1チャネル領域上に形成された第1制御電極と、前記第2チャネル領域上に形成された第2制御電極と、を具備することを特徴とする交流用スイッチ素子。
IPC (4件):
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 29/66
, H03K 17/56
FI (3件):
H01L 27/08 102 J
, H01L 29/66
, H03K 17/56 Z
Fターム (39件):
5F048AA00
, 5F048AA07
, 5F048AB03
, 5F048AB04
, 5F048AB10
, 5F048AC01
, 5F048AC06
, 5F048AC10
, 5F048BA07
, 5F048BC03
, 5F048BD06
, 5F048BG07
, 5J055AX12
, 5J055AX44
, 5J055BX01
, 5J055BX16
, 5J055CX10
, 5J055CX18
, 5J055DX13
, 5J055DX22
, 5J055DX72
, 5J055DX83
, 5J055EX07
, 5J055EX11
, 5J055EY01
, 5J055EY10
, 5J055EY12
, 5J055EZ07
, 5J055EZ09
, 5J055EZ18
, 5J055EZ20
, 5J055EZ25
, 5J055EZ59
, 5J055FX04
, 5J055FX31
, 5J055FX32
, 5J055GX01
, 5J055GX04
, 5J055GX07
引用特許:
審査官引用 (5件)
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特開昭61-078167
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パワー半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-302678
出願人:日本電装株式会社
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特開平2-161769
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-139273
出願人:日本電装株式会社
-
半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-250299
出願人:株式会社デンソー
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