交流用スイッチ素子及び交流スイッチ回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076062
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269353
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：

【要約】【課題】素子数を削減した低価格の交流用スイッチ素子のゲート駆動を良好に行うことができる交流スイッチ回路を提供する。【解決手段】MOS形トランジスタからなる双方向に導通可能な交流用スイッチ素子S1、S2と、前記MOS形トランジスタのゲートの駆動電圧を制御するドライブ回路DR1〜DR3と、このドライブ回路へ前記駆動電圧を供給するコンデンサC1〜C3と、交流用スイッチ素子S1、S2が接続された交流電源ACの変化する最低電位を検出するためのスイッチ素子SWE、SWF及びダイオードDI4、DI5と、前記最低電位を受け取りこの最低電位を基準にしてコンデンサC1〜C3を昇圧するブートストラップ回路とから構成されている。

請求項（抜粋）：

第1導電形の半導体基板上に形成された前記第1導電形と反対の第2導電形の第1半導体領域と、前記第1半導体領域内に分離されて形成された前記第1導電形の第2、第3半導体領域と、前記第2半導体領域内に分離されて形成された前記第2導電形の第4、第5半導体領域と、前記第3半導体領域内に分離されて形成された前記第2導電形の第6、第7半導体領域と、前記第4、第5半導体領域と前記第6、第7半導体領域との間の前記第2半導体領域上部に形成された第1チャネル領域と、前記第4、第5半導体領域と前記第6、第7半導体領域との間の前記第3半導体領域上部に形成された第2チャネル領域と、前記第1チャネル領域上に形成された第1制御電極と、前記第2チャネル領域上に形成された第2制御電極と、を具備することを特徴とする交流用スイッチ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/66 , H03K 17/56

FI (3件)：

H01L 27/08 102 J , H01L 29/66 , H03K 17/56 Z

Fターム (39件)：

5F048AA00 , 5F048AA07 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA07 , 5F048BC03 , 5F048BD06 , 5F048BG07 , 5J055AX12 , 5J055AX44 , 5J055BX01 , 5J055BX16 , 5J055CX10 , 5J055CX18 , 5J055DX13 , 5J055DX22 , 5J055DX72 , 5J055DX83 , 5J055EX07 , 5J055EX11 , 5J055EY01 , 5J055EY10 , 5J055EY12 , 5J055EZ07 , 5J055EZ09 , 5J055EZ18 , 5J055EZ20 , 5J055EZ25 , 5J055EZ59 , 5J055FX04 , 5J055FX31 , 5J055FX32 , 5J055GX01 , 5J055GX04 , 5J055GX07

引用特許：

出願人引用 (11件)

特開昭61-078167
パワー半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302678 出願人：日本電装株式会社
特開平2-161769

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審査官引用 (5件)

特開昭61-078167
パワー半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302678 出願人：日本電装株式会社
特開平2-161769

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