特許
J-GLOBAL ID：200903059047370825

枚葉式の処理装置及び処理方法

発明者：
李 一成

李 一成 について

, 
邵 寿潜

邵 寿潜 について

, 
謝 林

謝 林 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074853
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280318
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】 処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止することができる枚葉式の処理装置を提供する。【解決手段】 処理容器32内にて載置台38上に載置された被処理体Wに対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構60と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材44と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段64とを備えるように構成する。これにより、処理容器内に晒される軸受をなくして、パーティクルの発生を完全に防止する。
請求項（抜粋）：
処理容器内にて載置台上に載置された被処理体に対して所定の処理を施す枚葉式の処理装置において、前記載置台を浮上させる浮上用磁石機構と、前記載置台の周縁部に設けた羽根部材と、前記羽根部材に対して不活性ガスを噴射させて前記載置台に回転力を付与する回転用ガス噴射手段とを備えるように構成したことを特徴とする枚葉式の処理装置。
IPC (10件)：
H01L 21/26 ,  C23C 14/00 ,  C23C 14/50 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/68
FI (11件)：
C23C 14/00 B ,  C23C 14/50 J ,  C23C 16/44 G ,  C23C 16/44 J ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 R ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/68 N ,  H01L 21/26 G ,  H01L 21/302 B
Fターム (35件)：
4K029AA24 ,  4K029BD01 ,  4K029DA09 ,  4K029EA00 ,  4K029JA02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA06 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  5F004BB28 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004CA05 ,  5F031CA02 ,  5F031HA12 ,  5F031HA50 ,  5F031HA59 ,  5F031JA45 ,  5F031LA04 ,  5F031MA21 ,  5F031NA04 ,  5F031NA15 ,  5F031PA26 ,  5F045BB02 ,  5F045BB15 ,  5F045DP03 ,  5F045DQ10 ,  5F045EE14 ,  5F045EF01 ,  5F045EM10 ,  5F045GB15 ,  5F103AA08 ,  5F103BB38
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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