特許

J-GLOBAL ID：200903059103844878

シリコンクラスタ内包シリコン酸化物の製造方法

発明者： 岡田 拓也 ,  川崎 卓 ,  斎藤 光明 ,  伊吹山 正浩
出願人/特許権者： 電気化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-377755
公開番号（公開出願番号）：特開2005-139033
出願日： 2003年11月07日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】シリコンクラスタを内包するシリコン酸化物粉末を大量に合成する方法を提供する。【解決手段】モノシランガスとモノシランガスを酸化するための酸化性ガスとを反応容器内で気相反応させてシリコン酸化物粉末を製造する方法であって、反応容器内の500〜1000°Cの温度領域に導入口を設けて原料モノシランガスを供給するとともに、反応容器内の前記導入口よりも下流域に於いて前記酸化性ガスと原料モノシランガスとを混合することを特徴とするシリコンクラスタ内包シリコン酸化物粉末の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

モノシランガスとモノシランガスを酸化するための酸化性ガスとを反応容器内で気相反応させてシリコン酸化物粉末を製造する方法であって、反応容器内の500〜1000°Cの温度領域に導入口を設けて原料モノシランガスを供給するとともに、反応容器内の前記導入口よりも下流域に於いて前記酸化性ガスと原料モノシランガスとを混合することを特徴とするシリコンクラスタ内包シリコン酸化物粉末の製造方法。

IPC (1件)：

C01B33/113

FI (2件)：

C01B33/113 Z ,  C01B33/113 A

Fターム (13件)：

4G072AA24 ,  4G072AA26 ,  4G072AA38 ,  4G072BB05 ,  4G072GG03 ,  4G072HH04 ,  4G072JJ03 ,  4G072JJ11 ,  4G072JJ12 ,  4G072MM01 ,  4G072RR03 ,  4G072RR11 ,  4G072UU01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 改善されたオルガノシリコンナノクラスター及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-298187   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (3件)

• 高純度・超微粉SiOx粉及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-003226   出願人：電気化学工業株式会社
• 特公昭51-032597
  
• Siクラスレート化合物及びその製造方法、並びに熱電材料
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-240226   出願人：財団法人やまぐち産業振興財団