特許

J-GLOBAL ID：200903059169949824

SOI基板の製造方法

発明者： 大沼 英人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-184536
公開番号（公開出願番号）：特開2009-049387
出願日： 2008年07月16日
公開日（公表日）： 2009年03月05日
要約：

【課題】スループット良くSOI基板を製造できる方法を提供する。【解決手段】支持基板に半導体基板から分離させた半導体層を転置して、SOI基板を製造する。まず、半導体層の基となる半導体基板を準備する。該半導体基板には所定の深さの領域に脆化層を形成し、且つ、一表面上に絶縁層を形成する。半導体基板と支持基板とを、絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合した後、半導体基板にレーザビームを選択的に照射して脆化層の脆化を進行させる。そして、物理的手段又は加熱処理により、脆化層の脆化を進行させた領域を始点として、半導体基板を分離する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一表面上に絶縁層が形成され、且つ所定の深さの領域に脆化層が形成された半導体基板を準備し、 前記半導体基板と、支持基板と、を、前記絶縁層を間に挟んで重ね合わせて接合し、 前記半導体基板の側面から前記脆化層にレーザビームを選択的に照射した後、 物理的手段により、前記脆化層を境として前記半導体基板の一部を分離させ、前記支持基板上に半導体層を形成することを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  G02F 1/136 ,  H01L 51/50

FI (6件)：

H01L27/12 B ,  H01L21/265 Q ,  H01L21/20 ,  H01L29/78 627D ,  G02F1/1368 ,  H05B33/14 A

Fターム (118件)：

2H092JA25 ,  2H092JA46 ,  2H092KA03 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  2H092MA07 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA41 ,  2H092NA27 ,  2H092PA01 ,  3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC45 ,  3K107EE04 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE22 ,  5F110EE23 ,  5F110EE28 ,  5F110EE31 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG12 ,  5F110GG23 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ30 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL12 ,  5F110HL24 ,  5F110HM04 ,  5F110HM13 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN05 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19 ,  5F152AA12 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CC03 ,  5F152CC06 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD15 ,  5F152CE03 ,  5F152CE06 ,  5F152CE08 ,  5F152EE16 ,  5F152FF01 ,  5F152FF21 ,  5F152LM09 ,  5F152LP01 ,  5F152LP06 ,  5F152LP09 ,  5F152MM04 ,  5F152NN13 ,  5F152NN14 ,  5F152NN16 ,  5F152NP11 ,  5F152NP13 ,  5F152NP14 ,  5F152NQ03 ,  5F152NQ04 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ06

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 水素イオン注入剥離法によってSOIウエーハを製造する方法およびこの方法で製造されたSOIウエーハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-314018   出願人：信越半導体株式会社, エスオーアイテックエス・エー
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-337670   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

審査官引用 (2件)

• 薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-072226   出願人：キヤノン株式会社
• 電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-008980   出願人：セイコーエプソン株式会社