特許
J-GLOBAL ID：200903096009548052

電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器

発明者：
安井 淳人

安井 淳人 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 西 和哉 ,  志賀 正武 ,  青山 正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-008980
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203595
出願日： 2004年01月16日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：
【課題】 熱処理による半導体基板の破壊を防止することが可能であり、また製造効率を向上させることが可能な、電気光学装置の製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板200による吸収波長のレーザ630を半導体基板200に対して照射することにより、半導体基板200の水素イオン注入層205において半導体基板200を分離する。レーザ照射により半導体基板200を加熱すれば、熱処理による半導体基板200の破壊を防止することができる。また、レーザ照射により発生した熱が半導体基板200と支持基板500との貼り合わせ界面に伝達されるので、貼り合わせ強度を向上させるための第2の熱処理が不要となり、製造効率を向上させることができる。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
支持基板の表面に半導体基板を貼り合わせる工程と、 前記半導体基板による吸収波長のレーザを前記半導体基板に対して照射することにより、前記半導体基板の水素イオン注入層において前記半導体基板を分離する工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L27/12 ,  G09F9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/786
FI (5件)：
H01L27/12 B ,  G09F9/00 338 ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 627D ,  H01L27/06 102A
Fターム (49件)：
2H092GA59 ,  2H092JA25 ,  2H092JA29 ,  2H092JA36 ,  2H092JA46 ,  2H092JB13 ,  2H092JB51 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092MA02 ,  2H092MA12 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092RA05 ,  5F048AB10 ,  5F048AC04 ,  5F048AC10 ,  5F048BA16 ,  5F048BC06 ,  5F048BF11 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG12 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN23 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN48 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110QQ17 ,  5G435AA17 ,  5G435BB01 ,  5G435BB05 ,  5G435BB06 ,  5G435BB12 ,  5G435CC09 ,  5G435KK05 ,  5G435KK10
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • SOI基板の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-178143   出願人：ソニー株式会社
審査官引用 (6件)
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