特許
J-GLOBAL ID：200903059178653032

放電電極への給電方法、高周波プラズマ生成方法および半導体製造方法

発明者：
山越 英男

山越 英男 について

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佐竹 宏次

佐竹 宏次 について

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竹内 良昭

竹内 良昭 について

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真島 浩

真島 浩 について

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青井 辰史

青井 辰史 について

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村田 正義

村田 正義 について


出願人/特許権者：
三菱重工業株式会社

三菱重工業株式会社 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-104281
公開番号（公開出願番号）：特開2002-324762
出願日： 2000年03月13日
公開日（公表日）： 2002年11月08日
要約：
【要約】【課題】 電界集中部となる給電点付近への不要な製膜成分のデポジットとパーティクルの発生を効果的に防止することができる放電電極への給電方法、高周波プラズマ生成方法および半導体製造方法を提供する。【解決手段】 単一の保持電極に保持された被処理基板と単一の放電電極とを放電容器内に離間させて対面配置し、該放電電極と被処理基板との間に実質的に均一な放電状態を広範囲に発生させる放電電極への給電方法であって、放電電極に給電点を介して高周波電力を給電している間に、水素、アルゴン、ネオン、ヘリウム及び窒素からなる群のうちから選ばれる1種又は2種以上のガスを前記給電点に局所的に供給し、製膜成分のデポジットおよび粉の発生を抑制する。
請求項（抜粋）：
単一の保持電極に保持された被処理基板と単一の放電電極とを放電容器内に離間させて対面配置し、該放電電極と被処理基板との間に実質的に均一な放電状態を広範囲に発生させる放電電極への給電方法であって、前記放電電極に給電点を介して高周波電力を給電している間に、水素、アルゴン、ネオン、ヘリウム及び窒素からなる群のうちから選ばれる1種又は2種以上のガスを前記給電点に局所的に供給し、製膜成分のデポジットおよび粉の発生を抑制することを特徴とする放電電極への給電方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/505
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/505
Fターム (20件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030CA04 ,  4K030CA06 ,  4K030EA04 ,  4K030FA01 ,  4K030FA03 ,  4K030JA16 ,  4K030JA18 ,  4K030JA19 ,  4K030KA15 ,  4K030KA41 ,  5F045AA08 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AC17 ,  5F045BB02 ,  5F045DP01 ,  5F045EH04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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