特許
J-GLOBAL ID:200903059183736140
金属-セラミックス接合回路基板の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
大川 浩一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-304434
公開番号(公開出願番号):特開2003-110222
出願日: 2001年09月28日
公開日(公表日): 2003年04月11日
要約:
【要約】【課題】 金属-セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属-セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属-セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。【解決手段】 セラミックス基板10の両面にろう材12を介してCu板14を接合した後、 Cu板14の表面の所定の部分にUV硬化アルカリ剥離型レジスト16を塗布してCu板14の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジスト16を維持したまま、不要なろう材12およびろう材12とセラミックス基板10との反応生成物を除去し(あるいは、不要なろう材12およびろう材12とセラミックス基板10との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし)、その後、レジスト16を剥離し、 Ni-P無電解メッキ18を施す。
請求項(抜粋):
セラミックス基板の少なくとも一方の面にろう材を介して金属板を接合して回路パターンを形成するセラミックス回路基板の製造方法において、金属板を接合した後に、金属板の表面の所定の部分にレジストを塗布して金属板の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジストを維持したまま、不要なろう材およびろう材とセラミックス基板との反応生成物を除去し、その後、レジストを剥離することを特徴とする、金属-セラミックス接合回路基板の製造方法。
IPC (5件):
H05K 3/06
, B23K 1/00 330
, B23K 1/19
, C04B 37/02
, H05K 3/24
FI (5件):
H05K 3/06 A
, B23K 1/00 330 E
, B23K 1/19 B
, C04B 37/02 Z
, H05K 3/24 A
Fターム (37件):
4G026BA03
, 4G026BA14
, 4G026BA16
, 4G026BA17
, 4G026BB22
, 4G026BB27
, 4G026BC02
, 4G026BD02
, 4G026BF11
, 4G026BF16
, 4G026BF24
, 4G026BF44
, 4G026BG02
, 4G026BG23
, 4G026BH07
, 5E339AB06
, 5E339AD03
, 5E339BC02
, 5E339BC03
, 5E339BD06
, 5E339BD11
, 5E339BE13
, 5E339CC02
, 5E339CD01
, 5E339CE11
, 5E339CG04
, 5E339GG10
, 5E343AA02
, 5E343AA23
, 5E343BB24
, 5E343BB28
, 5E343BB67
, 5E343DD33
, 5E343DD76
, 5E343EE53
, 5E343ER12
, 5E343GG11
引用特許: