特許

J-GLOBAL ID：200903059222308313

半導体基板表面の平坦化方法

発明者： 山田 芳靖 ,  大島 久純
出願人/特許権者： 日本電装株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-323141
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181094
出願日： 1994年12月26日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、Si(100)を含むあらゆる半導体基板表面の平坦化を、フッ酸と純水のみを用いて行うことにより、現状のプロセスを大幅に変更すること無く、簡便でかつ短時間で達成する半導体基板表面の平坦化方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明によると、半導体基板の表面を面方位に依存しないで平坦化する方法であって、前記半導体基板をフッ酸溶液に浸漬する工程と、前記半導体基板を純水に浸漬する工程を含み、これらを交互に行うことを特徴とする半導体基板表面の平坦化方法が提供される。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面を面方位に依存しないで平坦化する方法であって、前記半導体基板をフッ酸溶液に浸漬する工程と、前記半導体基板を純水に浸漬する工程を含み、これらを交互に行うことを特徴とする半導体基板の表面の平坦化方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/308

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-053614   出願人：株式会社東芝
• シリコンウェーハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-077578   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 半導体基板の洗浄方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-127830   出願人：ソニー株式会社