特許
J-GLOBAL ID：200903059251175918
磁気抵抗素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大庭 咲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-368776
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102658
出願日： 1999年12月27日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：
【要約】【課題】 高い磁気抵抗変化率を有し、製造の歩留まりが良好で、かつ製造のバラツキの少ない磁気トンネル効果を用いた磁気抵抗素子を実現する。【解決手段】 基板5上に下部電極3を設け、同下部電極3を共通にして同下部電極3上に、イオンビームエッチング処理により、反強磁性膜8、下磁性層9、バリア膜10及び上磁性層11からなる積層構造の一対の磁気トンネル抵抗素子2を独立に分離して形成する。上磁性層11上には、独立した一対の上部電極4が形成される。これにより、一対の磁気トンネル抵抗素子2が、基板5にて直列接続されて形成される。
請求項（抜粋）：
バリア膜を下磁性層と上磁性層との間に挟んで構成した一対の磁気トンネル接合構造を、基板上に連続して設けた導電層上にそれぞれ独立して形成し、前記一対の磁気トンネル接合構造の各上磁性層上に上部電極をそれぞれ独立して形成したことを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (5件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 10/30
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/08
, H01F 10/30
, G01R 33/06 R
