半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置ユニット及びその製造方法

発明者： , , , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-301175
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221132
出願日： 1994年12月05日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】本発明は半導体素子を樹脂封止する半導体装置及びその製造方法に関し、小型化を図りつつ離型性及び信頼性を向上することを目的とする。【構成】半導体素子1と、この半導体素子1が搭載される基板2と、半導体素子1を封止する樹脂3とを具備する半導体装置において、上記基板2に樹脂充填孔14を形成し、この基板2の半導体素子1の配設面と異なる面より、上記樹脂充填孔14を介して樹脂3を導入して半導体素子1を封止する。【効果】樹脂充填孔14を介して直接的に基板上に樹脂3を導入して半導体素子1を封止することが可能となる。よって、従来のように金型に樹脂3が通り難いカル部,ランナー部等を設ける必要はなくなり、また樹脂3と金型との接触面積を小さくすることが可能となり、離型性を考慮に入れることなく離型剤の種類や添加量を選定することができる。

請求項（抜粋）：

半導体素子と、該半導体素子が搭載される基板と、該半導体素子を封止する樹脂とを具備する半導体装置において、該基板に樹脂充填孔を形成し、該基板の該半導体素子の配設面と異なる面より、該樹脂充填孔を介して該樹脂を導入して該半導体素子を封止してなる構成としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/56 , H01L 23/12 , H01L 23/28 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 23/12 N , H01L 23/12 L , H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平4-345073
封止用エポキシ樹脂成形材料
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-113553 出願人：松下電工株式会社
電子部品の実装構造
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-243897 出願人：日本電気株式会社

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