シリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶並びにシリコンウェーハ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：好宮幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-098829
公開番号（公開出願番号）：特開2005-281076
出願日： 2004年03月30日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】高品質な低抵抗率のP型及びN型のシリコン単結晶を、FZ法により低コスト且つ安全に製造する方法及びシリコン単結晶並びにシリコンウェーハを提供する。【解決手段】FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により製造された抵抗率が0.1Ω・cm以下のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒をFZ法により再結晶化することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶並びにシリコンウェーハ。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

FZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、CZ法により製造された抵抗率が0.1Ω・cm以下のP型またはN型のシリコン結晶棒をシリコン原料棒として、該シリコン原料棒をFZ法により再結晶化することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B29/06 , C30B13/04

FI (3件)：

C30B29/06 501 , C30B29/06 A , C30B13/04

Fターム (9件)：

4G077AA02 , 4G077AB06 , 4G077BA04 , 4G077CE03 , 4G077EA06 , 4G077EC02 , 4G077HA12 , 4G077NA01 , 4G077NA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

単結晶シリコンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-109014 出願人：住友金属工業株式会社

審査官引用 (4件)

単結晶シリコンの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-109014 出願人：住友金属工業株式会社
特開平2-275621
フロートゾーン法により製造したシリコン単結晶及びシリコン基板
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-221342 出願人：ワッカージルトロニックアクチエンゲゼルシャフト

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