特許
J-GLOBAL ID：200903059268545638

プラズマCVD法およびそれに用いる装置

発明者：
新楽 浩一郎

新楽 浩一郎 について

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白間 英樹

白間 英樹 について

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古茂田 学

古茂田 学 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130858
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313272
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：
【要約】【課題】 従来のプラズマCVD法は、高速製膜が困難であったり、プラズマダメージが大きかったり、大面積化が困難であるという問題があるとともに、従来の触媒CVD法では、基板の温度制御が困難であったり、欠陥密度が低い高品質な膜が得られにくいという問題があった。【解決手段】 チャンバー内に導入された原料ガスをプラズマで活性化させてこの原料ガス中の成分を被着基板上に堆積させるプラズマCVD法において、上記原料ガスの経路における上記プラズマ発生領域よりも上流側にタングステンもしくはタンタルからなる熱触媒体を配設して上記原料ガス中の成分を上記被着基板上に堆積させる。
請求項（抜粋）：
チャンバー内に導入された原料ガスをプラズマで活性化させてこの原料ガス中の成分を被着基板上に堆積させるプラズマCVD法において、前記原料ガスの経路における前記プラズマ発生領域よりも上流側にタングステンもしくはタンタルからなる熱触媒体を配設して前記原料ガス中の成分を前記被着基板上に堆積させることを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (5件)：
H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/509 ,  H01L 31/04
FI (5件)：
H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 Z ,  C23C 16/452 ,  C23C 16/509 ,  H01L 31/04 X
Fターム (21件)：
4K030AA06 ,  4K030AA17 ,  4K030BA29 ,  4K030BB03 ,  4K030EA01 ,  4K030FA03 ,  4K030FA14 ,  4K030KA17 ,  4K030KA25 ,  4K030KA30 ,  4K030LA16 ,  4M104BB01 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45 ,  4M104HH20 ,  5F051AA03 ,  5F051AA16 ,  5F051BA12 ,  5F051BA14 ,  5F051CB12 ,  5F051CB29
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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