ピストンリング

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡部健一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213527
公開番号（公開出願番号）：特開平11-166625
出願日： 1998年07月13日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：

【要約】【課題】ピストンリング上下面にAl凝着が生じにくく、しかもAl凝着抑止効果が長続きするピストンリングを提供する。【解決手段】ピストンリング1の全表面にガス窒化層2を形成し、上下面のガス窒化層2上に硬質皮膜3を0.5〜30μmの厚さで形成する。硬質皮膜3はSi、Ti、W、Cr、Mo、Nb、Vの群から選ばれた1又は2以上の元素が分散しているダイヤモンドライクカーボンから形成されている。ダイヤモンドライクカーボンは、1.アモルファス炭素構造、2.ダイヤモンド構造を一部有するアモルファス炭素構造、3.グラファイト構造を一部有するアモルファス炭素構造の何れかの形態をとる。上記元素の含有比率は原子%で5〜40%、硬質皮膜3の硬度はHV700〜2000の範囲内にある。上記硬質皮膜3をピストンリング1の上下面に0.5〜30μmの厚さで直接形成してもよい。

請求項（抜粋）：

硬質皮膜が上下面の少なくとも一方の面に形成されているピストンリングにおいて、前記硬質皮膜はSi、Ti、W、Cr、Mo、Nb、Vの群から選ばれた1又は2以上の元素が分散しているダイヤモンドライクカーボンから形成されていることを特徴とするピストンリング。

IPC (3件)：

F16J 9/26 , C23C 14/06 , F02F 5/00

FI (3件)：

F16J 9/26 C , C23C 14/06 F , F02F 5/00 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-260362
特開昭59-093869
非晶質硬質炭素膜及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-121047 出願人：株式会社ゼクセル

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