半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：若林忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-200683
公開番号（公開出願番号）：特開2000-031481
出願日： 1998年07月15日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：

【要約】【課題】MOSFETにおいて、短チャネル効果の原因である、チャネル不純物やソースドレイン不純物の拡散を抑えるとともに、不純物の活性化率を維持しオン電流低下の抑制を図る。【解決手段】MOSFETのシリコン基板表面から特定の深さの位置に特定の厚さの炭素ドープ層を設ける。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、該ゲート電極の直下の領域を含むように形成されたチャネル不純物層と、該チャネル不純物層に隣接して形成されたソース領域およびドレイン領域とを有し、前記シリコン基板表面から離間した位置に炭素ドープ層を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 P

Fターム (9件)：

5F040DA13 , 5F040EF02 , 5F040EF09 , 5F040EK05 , 5F040EM01 , 5F040EM02 , 5F040EM03 , 5F040FC06 , 5F040FC15

引用特許：

審査官引用 (3件)

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