半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-194216
公開番号（公開出願番号）：特開2005-032855
出願日： 2003年07月09日
公開日（公表日）： 2005年02月03日
要約：

【課題】相変化メモリ形成プロセスを単純化し、製造工程数の削減、ロジック標準プロセスとの親和性をより高める。【解決手段】本発明は、基板上に形成された絶縁膜にビアホールを形成する。このビアホール内にビアプラグを形成する。そしてこのビアプラグ上に抵抗加熱素子と記憶素子とを形成する。ここで、記憶素子の底面と側壁を抵抗加熱素子で囲むことにより、プロセスを単純化し、製造工程数の削減・ロジック標準プロセスとの親和性をより高めることを可能とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜に形成されたビアホールと、前記ビアホール内に形成されたビアプラグと、前記ビアプラグ上に形成された抵抗加熱素子と、前記抵抗加熱素子上に形成された記憶素子と、前記記憶素子上に形成された配線とを備え、前記記憶素子は、底面と側壁を抵抗加熱素子で覆われていることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

H01L27/10 , H01L21/3065 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L45/00

FI (5件)：

H01L27/10 451 , H01L45/00 A , H01L21/88 M , H01L21/90 A , H01L21/302 105A

Fターム (69件)：

5F004BA04 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DA26 , 5F004DB07 , 5F004DB10 , 5F004EB02 , 5F033HH11 , 5F033HH32 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ27 , 5F033JJ30 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033LL09 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN37 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP16 , 5F033PP27 , 5F033PP33 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ10 , 5F033QQ11 , 5F033QQ13 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ25 , 5F033QQ31 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR14 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033VV16 , 5F033XX01 , 5F033XX03 , 5F033XX13 , 5F033XX14 , 5F033XX28 , 5F083FZ10 , 5F083GA28 , 5F083JA19 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA05 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR03 , 5F083PR21 , 5F083PR22 , 5F083PR40 , 5F083PR41 , 5F083ZA02

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置における微小コンタクト領域、高性能相変化メモリセル及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-353352 出願人：エスティーマイクロエレクトロニクスエス.アール.エル, オヴォニクスインコーポレイテッド
相変化性メモリ材料と誘電材料との混合物から成る複合メモリ材料
公報種別：公表公報出願番号：特願平10-519794 出願人：エナージーコンバーションデバイセスインコーポレイテッド
ポアの位置を高くした相変化型メモリ
公報種別：公表公報出願番号：特願2003-525922 出願人：オヴォニクスインコーポレイテッド

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