半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：畑泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-142456
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340418
出願日： 1998年05月25日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】容量素子の下部電極に生じる寄生抵抗の低減を図り、高周波特性の改善を行う事が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】基板1上の第1の絶縁膜2と、第1の絶縁膜1上に形成される第1の導電体を介して形成された第2の導電体と、第2の絶縁膜11と、第1のコンタクトホール6を介して第1の導電体3と接続する第1の配線8と、第2のコンタクトホール7を介して第2の導電体5と接続する第2の配線9で構成された半導体装置20に於いて、第2の導電体5内に、第2の導電体5を部分的に除去した開口部領域10が形成され、開口部領域10内の第2の絶縁膜11を介して第1のコンタクトホール6が設けられ、第1のコンタクトホール6を介して第1の導電体3と第1の配線8が電気的に接続された半導体装置20。

請求項（抜粋）：

基板の一主面上に形成される第1の絶縁膜と、当該第1の絶縁膜上に形成される第1の導電体と、当該第1の導電体上に形成される誘電体と、当該誘電体上に形成される第2の導電体と、当該第1及び第2の導電体を被覆して形成された第2の絶縁膜と、当該第2の絶縁膜に形成された第1のコンタクトホールを介して当該第1の導電体と電気的に接続する第1の配線と、当該第2の絶縁膜に形成された第2のコンタクトホールを介して第2の導電体と電気的に接続する第2の配線で構成された半導体装置に於いて、当該第2の導電体内に、当該第2の導電体を部分的に除去した開口部領域が形成され、当該開口部領域内の当該第2の絶縁膜を介して当該第1のコンタクトホールが設けられ、当該第1のコンタクトホールを介して該第1の導電体と該第1の配線が電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822

引用特許：

審査官引用 (4件)

誘電体キャパシタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-069980 出願人：オリンパス光学工業株式会社
特開平2-047862
半導体結合コンデンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-334806 出願人：日本電気株式会社

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